授在国内无芯可用之时，曾提出了这样的观点：基础技术工艺的落后并非一朝一夕就能赶上，我们需要选择新航道、新灯塔。
在前段时间的石墨烯大会上，中科院宣布了新成果，8英寸石墨烯晶圆，这是制造碳基芯片的基础原材料，不管是尺寸还是性能都领先全球。
而碳基芯片更像是不同于传统主流硅基芯片的新航道。
在中科院展示成果的那刻，国内不少科技人士都认为，碳基芯片就是新灯塔，可以很好的绕开光刻机的限制。
然而，事实真的如此吗？虽然这样的呼声承载了国人们对中国技术突破垄断的愿望，但结局很现实，碳基芯片不仅只停留在试验阶段，即便已经完成开发，也依然绕不开光刻机，甚至对光刻技术的要求比硅基芯片要更加苛刻。
碳基芯片的技术要求，从芯片工艺角度来看，石墨烯晶圆做导体不难，但是要做半导体就比较困难了，导体只需能导电就行，但半导体技术的关键是如何控制电阻。
碳原子共有四个自由电子，却仅能生成两层电子数，这决定了碳基的活泼性和导热性都远超硅基，虽然碳和硅属于同一主族，但碳没有硅的还原性，碳基芯片的结构无法像硅基一样稳定，这是其暂时无法代替硅基芯片的主要原因。
即便突破了这层限制，那么还将面对的就是我们熟知的光刻制造工艺了。
碳基芯片在制造方面与硅基芯片相同，都要运用Fen Fet与SOI技术来实现电流的阻隔，集成电路是唯一途径，而集成电路的刻制最先进的工艺便是光刻技术了。
这意味着，在没有跨越级别的制造技术诞生的情况下，碳芯片不仅绕不开光刻机，其活泼、不稳定的性能决定了，对光刻技术的要求更高于同等工艺水平的硅芯片。
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